Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: HL-Laser

HL 20.3: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 16:30–16:45, H3

Untersuchung des Alterungsverhaltens von Hochleistungsdiodenlaserarrays mit Methoden der optischen Spektroskopie — •J.W. Tomm, A. Bärwolff, R. Puchert, U. Menzel, A. Jaeger und T. Elsaesser — Max-Born-Institut, Rudower Chaussee 6, 12489 Berlin

Halbleiterbauelemente unterliegen während ihres Betriebes evolutionären Prozessen, die u.a. mit der Akkumulation von Defekten verbunden sind. Besonders ausgeprägt und deshalb auch von besonderer praktischer Relevanz sind diese Effekte z.B. bei Hochleistungsdiodenlaserarrays, bei denen sie die Lebensdauer begrenzen. Photostromspektren von Quantum-Well Hochleistungsdiodenlaserarrays werden als neuer Bewertungsmaßstab für deren Alterungsstatus eingeführt und mit bekannten alterungssensitiven Parametern wie dem niederfrequenten Rauschen verglichen. Die Auswertung der Spektren ermöglicht die Separation von Effekten die durch Eigendefektgeneration im optisch aktiven Gebiet, die Erzeugung tiefer Zentren in den Führungsschichten und durch Oberflächenrekombination bedingt sind. Die genannten Mechanismen werden diskutiert und mit Modellrechnungen verglichen.