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HL: Halbleiterphysik

HL 20: HL-Laser

HL 20.8: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 17:45–18:00, H3

Intensit"atsdynamik im Nahfeld einer 980nm RW-Pumplaserdiode — •M.O. Ziegler¹, J. Greif¹, G. Jennemann², I. Fischer², H. Asonen³, and W. Els"a"ser² — ¹AG Halbleiterphysik, Philipps-Universit"at Marburg — ²Institut f"ur Angewandte Physik, Technische Hochschule Darmstadt — ³Department of Physics, Tampere University of Technology, Tampere, Finland

Einzelschu"smessungen des Nahfeldes einer Ridgewaveguide(RW)-Laserdiode (Ridgebreite ca. 5 µm) mit einer Streak-Kamera zeigen, da"s die raum-zeitliche Dynamik auf einer Pikosekundenzeitskala im wesentlichen durch den von au"sen injizierten Strom bestimmt wird. Dabei kann eine Klassifizierung der Dynamik in drei Bereiche vorgenommen werden. F"ur kleinere Str"ome erkennt man in der Anschaltdynamik die bekannten Relaxationsoszillationen. Diese lassen sich durch ein einfaches Ratengleichungsmodell mit nichtlinearer Gewinns"attigung sehr gut beschreiben. F"ur mittlere Str"ome im Bereich von 500mA schwingen h"ohere nichtlineare transversale Moden an. Im Nahfeld erkennt man ein rechts/links Schalten der Emission mit Oszillationsfrequenzen im Bereich von 10GHz. F"ur Anschaltstr"ome in H"ohe von 1000mA beobachtet man eine komplexe raum-zeitliche Dynamik mit niedrigen und hohen Pulsations- und rechts/links Schaltfrequenzen. Diese Ergebnisse werden im Zusammenhang mit den ihnen zugrunde liegenden Mechanismen qualitativ, insbesondere hinsichtlich m"oglicher Anwendungen diskutiert.