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HL: Halbleiterphysik

HL 20: HL-Laser

HL 20.9: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 18:00–18:15, H3

Einflu"s der Wellenleiterschicht auf die Nahfeldphotostromspektren von Halbleiterlaserdioden. — •Ch. Lienau, A. Richter, and J. W. Tomm — Max-Born-Institut f"ur Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, D-12489 Berlin

Wir wenden die neue Technik der Nahfeldphotostromspektroskopie zur Untersuchung von Hochleistungslaserdioden an [1,2]. Dabei erfolgt die optische Anregung der Probe mittels einer durchstimmbaren Laserlichtquelle durch die Apertur einer Nahfeldspitze, wod urch eine Ortsaufl"osung von ca. 100 nm erreicht wird. Vorgestellt werden Messungen an Hochleistungslaserdioden mit unterschiedlichen Wellenleiterschichten. Der Einflu"s dieser Schicht auf die Nahfeldphotostrombilder wird diskutiert und im Rahmen eines B eam Propapgation Modells analysiert. Es wird gezeigt, da"s aus den Bildern ein direkter R"uckschlu"s auf die nichtstrahlende Ladungstr"ager-Rekombination nahe der Facette der Diode gezogen werden kann. Daraus wird das Potential dieser neuen Methodik zur zerst"orungsfreien Analytik einzelner Schichten der Diodenlaserheterostruktur abgeleitet.

[1] A. Richter, J. W. Tomm, Ch. Lienau und J. Luft, Appl. Phys. Lett., 1996, in press.

[2] Ch. Lienau, A. Richter, J. W. Tomm, Appl. Phys. A, 1996, in press.