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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.10: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z

Radio-Tracer-DLTS an 51Cr und 48V implantierten 6H-Siliziumkarbid — •Joachim Grillenberger, Norbert Achtziger, Thomas Licht, Udo Reislöner und Wolfgang Witthuhn — Institut für Festkörperphysik, Max-Wien Platz 1, 07743 Jena

Mittels Rückstoßimplantation wurden die radioaktiven Isotope ⁴⁸V und ⁵¹Cr am Tandembeschleuniger der Universität Erlangen-Nürnberg in n-Typ 6H-SiC Epi-Schichten implantiert und bei 1600K unter Sauerstoff Atmosphäre ausgeheilt. DLTS-Messungen während des radioaktiven Zerfalls der Isotope in ihre Tochterelemente ⁴⁸Ti bzw. ⁵¹V zeigen das Verschwinden und Entstehen von Störstellen mit den Halbwertszeiten von 15.9d bzw. 27.7d. Zwei energetisch dicht benachbarte Störstellen (E_c=0.69eV und 0.78eV) konnten dem Element ⁴⁸V zugeordnet werden. Die Konzentrationen der beiden Störstellen verhalten sich wie 2:1. Die Korrelation der beiden Störstellen mit den inäquivalenten Gitterplätzen in 6H-SiC liegt somit nahe. Im Falle der ⁵¹Cr implantierten Proben tritt nur eine Störstelle (E_c=0.52eV) auf, wobei beim Verschwinden der Störstelle ein Ansteigen der mit dem Tochteratom Vanadium korrelierten Störstellen beobachtet wird. Die Ergebnisse werden mit den entsprechenden Experimenten an 4H-SiC verglichen.