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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Poster II
HL 22.103: Poster
Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z
Lumineszenzuntersuchungen und Kapazitätstransientenspektroskopie an Mg-dotiertem GaN — •D. Haase, M. Schmid, A. Dörnen, H. Bolay, F. Scholz, M. Burkard und H. Schweizer — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart
Wir untersuchen nominell Mg-dotierte MOVPE-GaN-Schichten mittels
Lumineszenzspektroskopie sowie mit Hilfe der
Kapazitätstransientenspektroskopie (DLTS und CV).
Es werden sowohl während des Wachstums
dotierte als auch Mg-implantierte, ausgeheilte Proben untersucht.
Im Vordergrund stehen dabei zum einen die Ladungsträgerkonzentration
nach der Aktivierung der Mg-Dotierung, zum anderen elektrisch
aktive, tiefe Störstellen, die mit der Mg-Dotierung zusammenhängen.
Einer der mit Hilfe der
DLTS in GaN:Mg nachgewiesenen Defekte mit EC−ET≈ 1.3 eV zeigt ein
metastabiles Verhalten, das wir in diesem Beitrag diskutieren wollen.
An unseren Proben haben wir zudem den Zusammenhang zwischen der gelbgrünen
Lumineszenz und der Mg-Dotierung respektive der
Implantationsschädigung untersucht und werden die Ergebnisse
vorstellen.