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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.16: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z

Untersuchungen zur maskenlosen Strukturierung von SiC mittels Ionenfeinstrahl — •R. Menzel, T. Bachmann und W. Wesch — Institut für Festkörperphysik, FSU Jena, Max - Wien - Platz 1, 07743 Jena

Aufgrund seiner außergewöhnlichen physikalischen Eigenschaften hat SiC in den letzten Jahren als Grundmaterial für Bauelemente, die unter extremen Bedingungen wie z. B. hoher Temperatur oder aggressiver Atmosphäre eingesetzt werden sollen, zunehmend an Bedeutung gewonnen. Infolge der hohen Resistenz des kristallinen Materials gegenüber naßchemischen Ätzprozessen erscheint eine Strukturierung von SiC mit konventionellen Methoden nahezu aussichtslos.
Eine Möglichkeit zur maskenlosen Strukturierung bietet der Ionenfeinstrahl mit Strahldurchmessern im Bereich ≤ 1 µm. Im vorliegenden Beitrag wurde daher der Materialabtrag an SiC durch Bestrahlungen mit Ga⁺ - Ionen im Energiebereich von 10 bis 30 keV untersucht. Die bestrahlten Gebiete wurden mit einem AFM - Profilometer vom Typ VERITEKT 3 vermessen. Dabei zeigt sich eine Glättung der Probenoberfläche infolge des verstärkten Abtrags an Oberflächenrauhigkeiten. Signifikante Abtrageraten werden für Dosiswerte ≥ 1 × 10¹⁷ Ga⁺ cm⁻² erreicht. Im untersuchten Energiebereich steigt der Sputterkoeffizient noch mit der Einschußenergie. Die gemessenen Sputterraten wurden mit TRIM - Simulationen verglichen.
(Förderung durch die DFG, Sonderforschungsbereich 196)