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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.23: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z

Untersuchung des Inselwachstums von Ge auf Si (100) — •M. Goryll, L. Vescan, K. Schmidt, K. Szot, and H. L"uth — Institut f"ur Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum J"ulich GmbH, D-54245 J"ulich

Das Materialsystem Ge/Si zeichnet sich aufgrund einer Gitterfehlanpassung von 4.3% durch den "Ubergang vom zweidimensionalen Schicht- zum dreidimensionalen Inselwachstum oberhalb einer kritischen Schichtdicke aus. Mittels Niederdruck-Gasphasenepitaxie (LPVPE) wurde bei Temperaturen zwischen 525^∘C und 700^∘C Ge auf Si (100) abgeschieden und das Inselwachstum mit Rasterkraft- und Rasterelektronenmikroskopie untersucht. Die Schichtdicke wurde anhand von Rutherford-R"uckstreuexperimenten (RBS) ermittelt. Die hierbei gewonnenen Daten zum Aspektverh"altnis der Inseln lassen auf eine Konfiguration mit minimaler elastischer Energie schlie"sen. Gr"o"senverteilungen werden im Hinblick auf den Einflu"s von Versetzungen w"ahrend des Wachstumsprozesses diskutiert. Unter bestimmten Wachstumsbedingungen scheint es m"oglich zu sein, Quantenpunkte herzustellen.