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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Poster II
HL 22.26: Poster
Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z
Photokapazitätsspektroskopie der elektronischen Struktur von selbstorganisierten GaAs/AlGaAs-Quantenfäden — •O. Groszer1, H. Witte1, J. Christen1, M. Takeuchi2, and H. Nakashima2 — 1Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität, Postfach 4120, 39016 Magdeburg — 2ISIR, Osaka University, Japan
Die untersuchten Quantenfadenproben wurden mit GSMBE auf 3∘ bzw. 6∘ nach (111)A verkippten (110) GaAs Substraten gewachsen. An den im komplexen GaAs/AlGaAs-Mehrschichtsystem eingebetteten Quantenfäden erfolgten temperatur- und frequenzabhängige C-V-Messungen, wellenlängenabhängige Photokapazitäts- und DLTS-Messungen.
Die Raumladungszone wurde durch Au-Schottkykontakt auf der GaAs-Deckschicht realisiert. Durch die Variation der Frequenz und der Wellenlänge des eingestrahlten Lichtes konnten die unterschiedlichen Beiträge der GaAs- und AlGaAs-Schichten zur C-V-Kennlinie der Quantenfäden separiert werden. Durch diese detailierte Analyse besteht die Möglichkeit die Quantenfäden zu identifizieren und zu untersuchen. Hierfür wurden auch DLTS- und DDLTS-Messungen eingesetzt. Es traten nichtexponentielle Kapazitätstransienten und unsymmetrische DLTS-Peaks auf, die als Überlagerung verschiedener Barrieren und Störstellenniveaus betrachtet werden. Diese transienten Prozesse werden detailiert untersucht und unter Einbeziehung der temperatur- und frequenzabhängigen C-V-Messungen diskutiert.