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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Poster II
HL 22.29: Poster
Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z
Herstellung von InAs/GaAs Quantenpunkten für Quantenpunktlaser mit metallorganischer Gasphasenepitaxie — •F. Heinrichsdorff1, N. Kirstaedter1, A. Krost1, M.-H. Mao1, K. Schatke1, D. Bimberg1, A.O. Kosogov2 und P. Werner2 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2MPI für Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, 06120 Halle
Erstmalig wurden mit metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD) InAs/GaAs Quantenpunkte in einzelnen und vertikal gestapelten Lagen für die Anwendung in Quantenpunktlasern hergestellt. Unter optimierten Wachstumsbedingungen konnten Quantenpunkte mit hoher lateraler Dichte (4 x 1010cm−2) hergestellt werden. TEM Aufnahmen zeigen keine Versetzungen oder makroskopische Defekte für Probenbereiche von mehreren µm2 sowohl für einzelne als auch vertikal gestapelte Quantenpunkte. Für gestapelte Quantenpunkte wird eine ausgeprägte vertikale Selbstordnung beobachtet. Mit einem fünffachen Quantenpunktstapel wurde ein Laser hergestellt, der unter gepulster elektrischer Ladungsträgerinjektion bis Raumtemperatur arbeitet und bei 77K eine Schwellstromdichte von nur 100 A/cm2 aufweist.