Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.32: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z

Optische Nahfeldspektroskopie eines einzelnen GaAs Quantendrahtes — •Ch. Lienau¹, A. Richter¹, M. Süptitz¹, T. Elsaesser¹, M. Ramsteiner², R. Nötzel² und K. H. Ploog² — ¹Max-Born-Institut für Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, D-12489 Berlin — ²Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, D-10117 Berlin

Die nanoskopischen optischen Eigenschaften einzelner Quantendrähte werden erstmals durch eine Kombination von Nahfeldphotolumineszenz (PL) und -lumineszenzanregungsspektroskopie (PLE) untersucht. Einzelne Quantendrähte (QWR) mit einer Breite von 50 nm wurden an der Kanten eines 15 nm hohen Mesastreifens auf einer strukturierten (311)A GaAs Oberfläche gewachsen. Die Bildung von Drähten beruht auf der Migration von Ga Atomen aus einer GaAs Quantentopf (QW) Schicht an die Kante des Mesas. Räumlich auf gelöste PL Spektren ermöglichen es, QWR und QW Emission zu trennen und geben ein Abbild der Ladungsträgerdiffusion innerhalb der Quantenstruktur. PLE Spektren geben Aufschluß über das Absorptionsspektrum der Drähte und zeigen lokale Variationen der QW Dicke aufgrund des Ga Migrationsprozesses auf. Sowohl der Einfang von Ladungsträger in die Drähte als auch die phononeninduzierte Emission von Ladungsträgern aus dem QWR in umliegende QW werden getrennt untersucht.

[1] A. Richter, Ch. Lienau, M. Süptitz, T. Elsaesser, M. Ramsteiner, R. Nötzel und K. H. Ploog, Surf. Interface Anal., 1996, in press.