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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.35: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z

Vertikale und laterale Ordnung in Vielfachschichten selbstorganisierter InGaAs-Quantenpunkte — •Anton A. Darhuber¹, Vaclav Holy², Julian Stangl¹, Günther Bauer¹, Alois Krost³, Marius Grundmann³, Dieter Bimberg³, V. M. Ustinov⁴ und P.S. Kop’ev⁴ — ¹Universität Linz — ²Universität Brno — ³Technische Universität Berlin — ⁴A. F. Ioffe Institut St. Petersburg

Wir haben selbstorganisierte InGaAs-Quantenpunkte, die mit Molekularstrahlepitaxie auf [001]-orientierten GaAs-Substraten als Laserstrukturen hergestellt wurden, mittels hochauflösender Röntgenbeugung und Röntgenreflexion untersucht. Aus den zweidimensional-aufgelösten Röntgenmessungen konnte eine laterale Nahordnung der Quantenpunkte in einem Quadratgitter mit Hauptachsen parallel zu [100] und [010] abgeleitet werden, was auf die Anisotropie der elastischen Eigenschaften zurückgeführt wird. Die laterale Gitterkonstante wurde zu 55 nm bestimmt. Die vertikale Ordnung der Quantenpunkte (”stacking”) wurde mit Röntgenreflexion untersucht. Die elastische Relaxation des heteropitaktischen Spannung der InGaAs-Quantenpunkte wurde mit einer Finiten-Differenzen-Methode berechnet.