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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Poster II
HL 22.58: Poster
Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z
Photoelektrische Untersuchungen an Metall-Halbleiter Strukturen — •V. Hoffmann, M. Brauer, P. Stauß, G.-U. Reinsperger und M. Schmidt — Hahn-Meitner-Institut-Berlin, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin
Der Ladungstransport in Metall-Halbleiter Heterostrukturen wurde durch Messung der inneren Photoemission untersucht. Es werden Ergebnisse dargestellt, die an Au/n-Si und CoSi2/n-Si Strukturen erzielt wurden. Die Schichtdicke der Metallfilme wurde im Bereich von 5 nm bis 50 nm variiert. Polykristalline Au Filme wurden auf Si(100) und Si(111) Substraten im Hochvakuum (HV) abgeschieden. Epitaktische CoSi2 Schichten wurden im Ultrahochvakuum (UHV) auf Si(111) Substraten präpariert. Aus der simultanen Messung des photoelektrisch generierten Kurzschlußstroms und der optischen Reflexion und Transmission der Proben wird die interne Quantenausbeute bestimmt. Die Messungen erfolgten im Wellenlängenbereich von 250 nm bis 2500 nm bei Temperaturen zwischen 165 K und 300 K. Es wurde festgestellt, daß sowohl die Temperatur, als auch die Substratorientierung einen Einfluß auf die Energiebarriere des Metall-Halbleiter Übergangs haben. Im Energiebereich zwischen Barrierenenergie und der Absorptionskante im Si wurde ein Anstieg der internen Quantenausbeute mit abnehmender Schichtdicke gefunden, der auf Streuprozesse der photogenerierten Ladungsträger in der Metallschicht zurückgeführt wird.