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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.6: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z

Partialdruckmessung von SiC — •Horst Sadowski und Reinhard Helbig — Lehrstuhl für Angewandte Physik, Staudtstr. 7/A3, Universität Erlangen-Nürnberg

Der Partialdruck bei der Sublimation von SiC ist von großem Interesse für das bessere Verständnis des Kristallwachstums. Deshalb wurde 6H und 3C SiC-Pulver unter Gleichgewichtsbedingungen verdampft. In einer Tantal-Knudsenzelle wurde SiC-Pulver verschiedener Polytypen (3C und 6H), unterschiedlicher Korngröße (≤7µm, 40-60µm) und variiertem Si/C-Verhältnis (Zugabe von Si-Pulver) verdampft und die Partialdrücke mit einem Quadrupol-Massenspektrometer untersucht. Die enstandenen, verschiedenen Si-C-Moleküle wurden durch Isotopenvergleich identifiziert. Neben Si sind SiC₂ und Si₂C die dominanten Spezies. Die Verdampfungsenergie wurde aus der Clausius-Clapeyron-Gleichung bestimmt.