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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.64: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Stabilität von (n)a-Si:H/(p)c-Si Heterosolarzelle — •Reza Hussein, Dietmar Borchert, Günter Grabosch und Wolfgang R. Fahner — FernUniversität Hagen, Lehrgebiet Bauelemente der Elektrotechnik, Haldener Str. 182, 58084 Hagen

a-Si/c-Si Heterosolarzellen verbinden die Vorteile der amorphen Dünnschichttechnologie, wie z.B. niedrige Prozeßtemperaturen, großflächige Abscheidemöglichkeiten und einfaches Prozeß- handling, mit den Vorteilen der kristallinen Technologie, nämlich gutes Ausgangsmaterials und folglich hohe Wirkungsgrade. Für (n)a-Si:H/(p)c-Si Heterosolarzellen wurden Wirkungsgrade über 13% erreicht [1]. Für eine technische Anwendung ist es aber nötig, daß diese Zellen keine Steabler-Wronski-Degradation zeigen. Es wurde daher die Stabilität der einfachsten Struktur der Form Grid/ITO/(n)a-Si/(p)c-Si/Al und einer Struktur Grid/ITO/(n)a-Si/(i)a-Si/(p)c-Si/Al mit intrisischer Bufferschicht bei Bestrahlung mit einer bzw. fünf Sonnen untersucht. Außerdem wurde der Einfluß der Zelltemperatur auf die Langzeitstabilität ermittelt.

[1] D.Borchert, G.Grabosch, W.R.Fahner: 9th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Miyazaki,Nov.1996