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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.70: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z

Transporteigenschaften resonanter Tunneldioden im Ein"-elek"-tro"-nen"-be"-reich — •M. Griebel, K.-M. Indlekofer, A. F"orster, and H. L"uth — Institut f"ur Schicht- und Ionentechnik (ISI), Forschungszentrum J"ulich GmbH, D-52425 J"ulich

Zur Untersuchung der aus Tunnelmechanismen resultierenden Transporteigenschaften im Einelektronenbereich wurden aus mehreren mittels MBE gewachsenen AlGaAs/GaAs/AlGaAs- bzw. AlAs/GaAs/AlAs- Doppelbarrierensystemen resonante Tunneldioden hergestellt. Hierzu wurden zwei verschiedene Technologien herangezogen: Es wurden sowohl mesastrukturierte Dioden mit Hilfe des reaktiven Ionen"atzens als auch implantationsisolierte Dioden, je"-weils mit Abmessungen in der Gr"o"senordnung von 0.5 µ m, hergestellt. Die mesastrukturierten Dioden wurden zus"atzlich mit einem Gate zur Steuerung des effektiven Diodenquerschnittes versehen.

Im Hinblick auf das Auftreten charakteristischer Einelektroneneffekte wurden die I(V)-Kennlinien dieser Dioden bei einer Temperatur von 30 mK aufgenommen. Desweiteren wurde die Verwendbarkeit der mit einem Gate versehenen Dioden als Tunneltransistor bei h"oheren Temperaturen untersucht.