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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.72: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Untersuchung der Reflexionseigenschaften ballistischer Leitungselektronen in Strukturen, hergestellt durch fokussierte Ionen — •U. Dötsch und A.D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstraße 150, 44780 Bochum

Mittels fokussierter Ga-Ionen lassen sich in Al_xGa_1−xAs-GaAs- Heterostrukturen kompesationsdotierte Bereiche erzeugen, die als laterale Potentialwälle wirken. Bei tiefen Temperaturen (4.2 K) und Beweglichkeiten von 10⁶ cm² /Vs erreicht man freie Weglängen von ca. 10 µ m. Somit kann man durch transversale Elektronenfokussierung im ballistischen Bereich die Reflexionseigenschaften der Leitungselektronen an diesen Potentialbarrieren untersuchen. Dabei geht es vor allem darum, wieviel Prozent der Reflexion spiegelnd erfolgt. Durch Anlegen einer Spannung über diese Barriere und der damit verbundenen Verschiebung der Verarmungszone besteht die Möglichkeit, diese Reflexionseigenschaft zu verändern. So wird durch Anlegen einer positiven Spannung die Reflexion veringert, d.h. der spiegelnde Charakter der Barriere abgeschwächt. Dieses geschieht durch verstärkte Streuung an den linienweise implantierten Störstellen.