Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.80: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Visualisierung von stoßionisationsinduzierten Stromfilamenten in n–GaAs Corbino-Scheiben — •J. Hirschinger¹, W. Eberle¹, F.-J. Niedernostheide², W. Prettl¹ und H. Kostial³ — ¹Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — ²Institut für Angewandte Physik, Universität Münster, 48149 Münster — ³Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, 10117 Berlin

Hochreine Halbleiterschichten zeigen bei tiefen Temperaturen unter Anlegen einer Spannung einen Nichtgleichgewichtsphasenübergang von einem niedrigleitenden zu einem hochleitenden Regime aufgrund der Stoßionisation flacher Störstellen. Dieser Übergang ist verknüpft mit der Ausbildung eines hochleitenden Stromfilaments in einer niedrigleitenden Umgebung. An einer n-GaAs Corbino Scheibe wurde die Nukleation und die Ausbildung von Stromdichtemustern in Abhängigkeit vom Probenstrom untersucht. Das Meßprinzip beruht auf einer ortsaufgelösten Detektion der Photolumineszenz, die im Filament aufgrund der Stoßionisation stark unterdrückt wird. Die Aufnahmen wurden mit einem IR-Bildverstärker mit S25-Kathode mit Videofrequenz aufgezeichnet. Durch die hohe Wiederholrate verbunden mit hoher räumlicher Auflösung konnte das laterale Wachstum der Filamente, Spaltung, Umorientierung und Ausbildung multifilamentärer Strukturen mit und ohne Magnetfeld untersucht werden.