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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Poster II
HL 22.82: Poster
Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z
Thermoelektrische Eigenschaften von InTe — •W. Käfer, K. Fess, C. Thurner, K. Friemelt, Ch. Kloc und E. Bucher — Fakultät für Physik, Universität Konstanz
Die III-VI Verbindung InTe als potentielles thermoelektrisches Material [1]
wurde untersucht. InTe schmilzt kongruent bei 696∘C [2]
und kristallisiert tetragonal in der Raumgruppe I4/mcm [3].
Zur Herstellung wurden neben einfachem Zusammenschmelzen der Elemente
in einer Quarzglasampulle auch zonengeschmolzene und Proben nach einem
modifizierten Bridgman-Verfahren hergestellt. Man erhält große Einkristalle
oder Polykristalle mit großen einkristallinen Bereichen, was durch
Röntgenbeugung nachgewiesen wurde. Die Kristalle sind sehr weich und lassen
sich leicht entlang ihrer c-Achse spalten. Messungen der thermoelektrisch
wichtigen Größen wurden im Bereich von 80-400 K durchgeführt.
Der Raumtemperaturwert für den spezifischen Widerstand liegt
bei ca. 2 mΩcm, die Thermokraft ist positiv und beträgt
ca. 100 µV/K. Beide Größen nehmen mit steigender Temperatur zu.
Für die Wärmeleitfähigkeit erhält man Werte um 2 W/Km. Die figure of
merit Z = σS2/λ nimmt über den gesamten Meßbereich
zu und erreicht ca. 2·10−4 1/K bei 400 K.
[1] A. T. Nagat et al., Cryst. Res. Technol. 25, K72 (1990)
[2] E. G. Grochowski et al., J. Phys. Chem. Solids 25, 551 (1964)
[3] J. H. C. Hogg et al., Acta Crystallogr. B 32, 2689 (1976)