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HL: Halbleiterphysik

HL 25: GaN I

HL 25.2: Talk

Thursday, March 20, 1997, 10:30–10:45, H1

Ausheilen struktureller Defekte in GaN nach Schwerionenimplantation — •H. Hofsäss¹, M. Dalmer¹, M. Deicher¹, M. Restle¹, C. Ronning¹, M.D. Bremser² und R.F. Davis² — ¹Universität Konstanz, Postfach 5560, D-78434 Konstanz — ²North Carolina State University, Dept. of Material Science, Raleigh, USA

Wir haben radioaktives ¹¹¹In bei Raumtemperatur mit einer Energie von 100 keV und einer Dosis von 10¹³ cm⁻² in einkristallines GaN implantiert. Da Indium in GaN substitutionelle Gallium-Plätze besetzt, steht uns eine ideale Sonde zu Verfügung um das Anlaßverhalten des Implantationsschadenes zu studieren. Wir beobachteten mit Hilfe der Emissionschanneling-Methode selbst direkt nach der Implantation substitutionelles Indium, allerdings mit der PAC-Methode stellten wir fest, daß sich die Sonde in einer stark gestörten Umgebung befindet. Nach Anlassen der Proben auf Temperaturen von 600 K bis 900 K zeigen beide Meßtechniken ein Ausheilen der Implantationsdefekte.