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HL: Halbleiterphysik

HL 25: GaN I

HL 25.5: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 11:15–11:30, H1

Tiefe Elektronentraps in MBE-gewachsenem hexagonalem GaN — •A. Krtschil¹, M. Lisker¹, H. Witte¹, J. Christen¹, S. Einfeldt² und D. Hommel² — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, PO Box 4120, 39016 Magdeburg — ²Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, PO Box 330, 28334 Bremen

An MBE-gewachsenen undotierten GaN-Schichten wurden thermische und optische Admittanzmessungen durchgeführt. Die Proben sind in (0001)-Richtung auf einem (0001)-Saphir-Substrat abgeschieden worden und weisen unterschiedliche Schichtdicken (250nm...1700nm) auf. Zur Realisierung der ohmschen Kontakte wurde thermisch verdampftes Al mit anschließender Temperung verwendet. Thermisches Verdampfen von Au bzw. ein Aufsputtern von Pt führten zur Ausbildung von Schottkykontakten. Frequenzabhängige C-V-Kennlinien der Kontakte zeigen ein sperrendes Verhalten. Die thermischen Admittanzmessungen (TAS) wurden im Temperaturbereich von 120K...350K durchgeführt. Mit Hilfe einer Variation der Modulationsfrequenz von 20Hz...1MHz konnten mehrere Elektronentraps bis zu einer Aktivierungsenergie von ca. 800meV nachgewiesen werden. Es wird vermutet, daß es sich bei diesen Elektronentraps um Eigendefekte des GaN handelt. Zur Charakterisierung von energetisch tiefer liegenden Störstellen wurden Optische Admittanzspektren (OAS) im Wellenlängenintervall von 400nm...1200nm aufgenommen.