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HL: Halbleiterphysik

HL 25: GaN I

HL 25.6: Talk

Thursday, March 20, 1997, 11:30–11:45, H1

Strukturelle Defekte und Störstellen in InGaN — •A. Graber¹, R. Averbeck¹, H. Riechert¹, H. Tews¹, B.K. Meyer², W. Kriegseis² und J. Christen³ — ¹Siemens ZT KM4, 81739 München — ²I. Physikal. Institut, Justus-Liebig-Universität, 35392 Giessen — ³Otto-Guericke-Universität, 39016 Magdeburg

Epitaktisch auf der c-Ebene von GaN abgeschiedenes InGaN weist aufgrund der Gitterfehlanpassung und der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen GaN und InGaN eine hohe Versetzungsdichte auf. Gerade in relaxierten Schichten erwartet man strukturelle Defekte, die die Verspannungen abbauen. Die untersuchten Proben zeigen in Röntgenmessungen (XRD) i.a. zwei unterschiedliche In-Gehalte, die auf mehrere In-Phasen hindeuten. Auch in Photolumineszenzmessungen (PL) können mehrere In-korrelierte Signale beobachtet werden. Aus temperatur- und leistungsabhängiger PL und XRD wird ein Modell der beobachteten InGaN-Lumineszenz entwickelt, das mit den Ergebnissen aus orts- und leistungsabhängigen Kathodolumineszenz-, aus SIMS- und aus Absorptionsmessungen verglichen wird. Es wird gezeigt, daß durch Optimierung der Wachstumsbedingungen die Strukturqualität der InGaN-Schichten verbessert wird. So zeigen verbesserte Proben nur mehr extrinsische, aber keine intrinsische Defektlumineszenz.