Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 25: GaN I
HL 25.8: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 12:00–12:15, H1
Herstellung von GaN mittels Nitridierung von GaAs mit Ammoniak — •A. Krost1, K. Schatke1, A. Dadgar1, F. Heinrichsdorff1, U.W. Pohl1, D. Bimberg1, H. Siegle1, C. Thomsen1, T. Hempel2 und J. Christen2 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2Institut für experimentelle Physik, Otto von Guericke Universität Magdeburg, PO Box 21420, 39016 Magdeburg
Es wurden erste erfolgreiche Versuche zur Herstellung von GaN durch Nitridierung von verschiedenen Ga(In)As - Substraten durchgeführt. Die Nitridierung erfolgt bei relativ niedrigen Temperaturen um 700 - 750 ∘C mit Ammoniak, welches sich in Anwesenheit der GaAs Oberfläche offensichtlich effektiv zerlegt. Die Umwandlung von GaAs zu GaN geschieht mit Umwandlungsgeschwindigkeiten > 1 µm/h. Es konnten (001)- und (111) orientierte Schichten auf GaAs bzw. GaAs/Si hergestellt werden.
Das Verfahren wurde ebenfalls angewandt, um in-situ mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellte GaAs - Bufferschichten auf GaP (001) und (111) Substrat in GaN umzuwandeln, um anschließend GaN mit TMGa und NH3 zu wachsen. Röntgen-, Raman- und Photolumineszenzmessungen zeigen, daß das Material je nach Bedingungen in der kubischen oder hexagonalen Modifikation vorliegt. Die mittels AFM untersuchte Oberflächenmorphologie ist vergleichbar mit der mittels Molekularstrahlepitaxie gewachsener Schichten.