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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Grenzflächen/Oberflächen

HL 26.1: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 10:15–10:30, H2

Wachstum und Grenzflächenzustände in CaF₂/Si(111) — •M. Dähne-Prietsch¹, I. Manke¹, T. Kalka¹, H.J. Wen² und G. Kaindl² — ¹Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Institut für Experimentalphysik, FU Berlin, Arnimallee 14, D-14195 Berlin

Epitaktische Filme von CaF₂ auf Si(111) gelten als vielversprechender Kandidat zum Ersatz von SiO₂ in der MOS-Technologie bei weiterer Verringerung der Größe der Bauelemente, insbesondere der Dicke des Oxidfilms. Als Hauptnachteil von CaF₂/Si(111) gilt die hohe Zustandsdichte an der Grenzfläche, die allerdings stark von den Präperationsbedingungen abhängt. In dieser Arbeit wurden das Wachstum und die elektronische Struktur von dünnen epitaktischen CaF₂-Filmen auf Si(111) im UHV mit STM und Photoemission bei BESSY untersucht. Mithilfe der bereits bekannten strahlungsinduzierten Bildung von Fluordefekten an der CaF₂-Oberfläche und den daraus resultierenden Fermienergieverschiebungen läßt sich die Zustandsdichte an den so gewachsenen Grenzflächen zu Werten unterhalb 3· 10¹²/cm²eV abschätzen. Dies kommt den heute besten Werten von 10¹¹/cm²eV für SiO₂/Si(111) und 10¹⁰/cm²eV für SiO₂/Si(001) schon sehr nahe.