Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 26: Grenzflächen/Oberflächen

HL 26.4: Talk

Thursday, March 20, 1997, 11:00–11:15, H2

Elektronische Korrelationen auf Halbleiteroberflächen — •Beate Paulus¹, Peter Fulde¹ und Hermann Stoll² — ¹Max-Planck-Institut für Physik komplexer Systeme, Bayreuther Str. 40, 01187 Dresden — ²Institut für theoretische Chemie, Universität Stuttgart, 70550 Stuttgart

Das auf Inkrementen basierende ab initio-Verfahren, Korrelationsenergien in Festkörpern auf Coupled-Cluster-Niveau zu berechnen, wurde bis jetzt auf Bulk-Grundzustandseigenschaften von Halbleitern [1] und Isolatoren angewandt. Diese Metode wird nun auf Halbleiteroberflächen erweitert. Als erste Anwendung berechnen wir die Korrelationsenergie der idealen und der p(2×1) rekonstruierten Silizium 100-Oberfläche. Dabei wird besonders der Korrelationseinfluß der ungesättigten Bindungen diskutiert.

[1] B. Paulus, H. Stoll, P. Fulde, Phys. Rev. B 51, 10572 (1995)