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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Grenzflächen/Oberflächen

HL 26.6: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 11:30–11:45, H2

Dynamische Lokalisation und Abschirmungseffekte als Erklärung für durch die Oberfläche induzierte optische Anisotropie — •U. Rossow^1,2, L. Mantese¹ und D.E. Aspnes¹ — ¹North Carolina State University, Phys. Dept., Raleigh, NC 27695-8202 — ²TU Berlin, Inst. f. Festkörperphysik, PN6-1, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin;Email: urossow@aol.com

Reflexions-Differenz (-Anisotropie) Spektroskopie (RDS/RAS) ist eine optische Methode, die intensiv genutzt wird, um Oberflächenprozesse zu untersuchen. Der Ursprung des Signals ist aber noch nicht geklärt und die Übereinstimmung zwischen Theorie und Experiment ist i.a. schlecht.

In vielen Fällen haben RDS Spektren Linienformen, die dielektrischen Funktionen є gleichen oder durch deren energetische Ableitung dє/dE dominiert sind. dє/dE-artige Linienformen haben wir für passivierte Oberflächen wie z.B. Wasserstoff auf Si oder naßchemisch präparierte III-V-Halbleiter gefunden. Spektren mit einer є-Linienform zeigen nicht-passivierte Oberflächen wie z.B. GaAs(001) (2x4) oder InP(001). Im Allgemeinen scheinen Spektren beide Charakteristiken zu haben.

Der erste Schritt ist also das Verständnis dieser grundlegenden Linienformen. є-artige Spektren können durch Abschirmeffekte wie dem Surface-Local-Field-Effekt erklärt werden. Die Interpretation von dє/dE-artigen Spektren ist schwieriger und vieles deutet darauf hin, daß sie nur erklärt werden können, wenn man annimmt, daß die angeregten Elektronen dynamisch an der Oberfläche lokalisiert sind.