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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Grenzflächen/Oberflächen

HL 26.7: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 11:45–12:00, H2

Hochaufgelöste Abbildung von Halbleiterstrukturen mit einem Subångstrøm-Transmissionselektronenmikroskop (SATEM) — •M. Haider¹, E. Schwan¹, S. Uhlemann^1,2, B. Kabius³, M. Foschepoth⁴ und H. Kohl⁴ — ¹EMBL, Postfach 102209, 69012 Heidelberg — ²Institut für Angewandte Physik, TH Darmstadt, Hochschulstr. 6, 64289 Darmstadt — ³Institut für Mikrostrukturforschung, Forschungszentrum Jülich, Postfach 1913, 52425 Jülich — ⁴Physikalisches Institut der Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster

Die mit einem Transmissionselektronenmikroskop erzielbare Auflösung ist durch den Öffnungsfehler der Objektivlinse begrenzt, der für elektronenoptische Rundlinsen unvermeidlich ist [1]. Einem Vorschlag von Rose [2] folgend, haben wir am EMBL ein Korrektursystem aus zwei Hexapol-Elementen und 4 Rundlinsen aufgebaut, mit dem der Öffnungsfehler korrigiert werden kann. Die Auflösungsgrenze konnte damit bisher von 0,24 nm auf 0,20 nm verbessert werden. Wir erwarten, durch Behebung geräte- bedingter Instabilitäten die Auflösungsgrenze auf etwa 0,1 nm senken zu können. Daneben ermöglicht der Korrektor die Ausnutzung neuartiger Kontrastmechanismen zur Bilderzeugung. Die Möglichkeiten des korrigierten Elektronenmikroskops werden anhand einiger Abbildungen von Halbleiterstrukturen demonstriert.

[1] O. Scherzer, Z. Phys. 101 (1936) 593

[2] H. Rose, Optik 85 (1990) 19