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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Quantendots I
HL 27.8: Talk
Thursday, March 20, 1997, 12:00–12:15, H3
Quanteneffekte in-situ gewachsener InGaAs/InP Quantenfäden — •M. Kappelt1, V. Türck1, D. Stenkamp2 und D. Bimberg1 — 1Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Sekr. PN 5-2, Hardenberstr. 36, 10623 Berlin — 2Institut für Werkstoffwissenschaften, Mikrocharakterisierung, Universität Erlangen-Nürnberg, Cauerstr. 6, 91058 Erlangen
Wir berichten über die Herstellung von InGaAs Quantenfäden mittels metallorganischer Niederdruckgasphasenepitaxie auf InP V-Gräben. Durch das erstmalig durchgeführte direkte Abscheiden der aktiven Schicht auf das mit extrem scharfen V-Gräben [1] korrugierte Substrat gelang eine drastische Verstärkung des quasi eindimensionalen quantum confinement im Vergleich zu unseren früheren Strukturen [2]. Dies konnte mittels Charakterisierung durch TEM, PL, PLE sowie KL nachgewiesen werden. Insbesondere ist die integrale Lumineszenzintensität größer im Vergleich zu Strukturen, die mit InP Pufferschicht gewachsen wurden [3]. Dies läßt auf eine geringere Defektdichte am Interface schließen. Wir präsentieren Ergebnisse zum Einfluß unterschiedlicher InGaAs Schichtdicke sowie verändertem Galliumangebot während der Epitaxie auf die Eigenschaften dieser Quantenfäden.
[1] M. Kappelt, and D.Bimberg, J. Electrochem. Soc., 143, 3271, (1996)
[2] M. Kappelt, V. Türck, M. Grundmann, H. Cerva, and D.Bimberg, Proc. 8th Int. Conf. on InP and Rel. Mater., p.757, (1996)
[3] M. Kappelt, M. Grundmann, A. Krost, V. Türck, and D.Bimberg, Appl. Phys. Lett., 68, 3596, (1996)