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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Gitterdynamik

HL 28.3: Talk

Thursday, March 20, 1997, 11:00–11:15, H4

Subpikosekunden Felddynamik und Generation kohärenter Phononen in LT-GaAs — •G. Segschneider¹, T. Dekorsy¹, H. Kurz¹, R. Hey² und K. Ploog² — ¹Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl II, RWTH Aachen — ²Paul-Drude Institut für Festkörperphysik

Die Untersuchung von as-grown und ausgeheiltem LT(Low Temperature grown)-GaAs mittels Reflective Electro-Optic Sampling (REOS) mit 1.5 eV–Laserpulsen und einer Zeitaufloesung von 50 fs liefert Aussagen ueber die Subpikosekunden–Felddynamik sowie strukturelle Defekte in diesem fuer neue elektronische und optoelektronische Anwendungen interessanten Material. Sowohl Anregungsdichtevariationen als auch externe Feldvariationen ermoeglichen die Bestimmung interner elektrischer Felder, deren Abschirmdynamik durch mobile Ladungsträger vor dem Einfang (< 1 ps) bestimmt wird. Die Relaxation der Feldänderungen ist länger als die Einfangszeit und gibt Auskunft über die Rekombinationszeiten der eingefangenen Ladungsträger. Die ultraschnelle Feldabschirmung führt zur Anregung kohärenter LO-Phononen, deren Dephasierung Information über die Änderung der anharmonischen Kopplung an akustische Phononen in LT-GaAs liefert.