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HL: Halbleiterphysik
HL 28: Gitterdynamik
HL 28.4: Talk
Thursday, March 20, 1997, 11:15–11:30, H4
LO-Phononen-Resonanzen in der linearen optischen Antwort von GaAs — •J. Nägerl, C. Nacke, T. Reker, G. Böhne, and R. G. Ulbrich — IV. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen
Die Amplitude und die Phase des durch hochreine GaAs-Proben bei T=2 K transmittierten Lichtfeldes wurde nach Anregung mit 40 fs-Pulsen im Bereich der Bandlückenenergie EGap a) zeitlich und b) spektral aufgelöst gemessen. Wir beobachten die Schwebungen der Interbandpolarisation von 1s-Exzitonen mit höherliegenden Elektron-Loch-Paarzuständen. Zusätzlich treten starke Oszillationen der Einhüllenden für Zeiten unterhalb von 200 fs mit einer Periodenlänge von ca. 60 fs auf, wenn das Anregungsspektrum (ℏ Δ ω=40 meV) mindestens 20 meV oberhalb von EGap zentriert ist. Das Auftreten der Oszillationen ist unabhängig von der Anregungsdichte im Bereich von 1014 bis 1018 cm−3. Die Oszillationen in der Zeitdomäne entsprechen einem Knick im Phasenspektrum Φ(ω), der bei ℏ ω = EGap+ELO−Phonon gemessen wurde. Wir schreiben beide Strukturen kohärenten Wechselwirkungen der optisch angeregten Zustände mit LO-Phononen zu.
Diese Arbeit wird im Rahmen des SFB 345 gefördert.