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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Theorie I

HL 3.2: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 10:45–11:00, H2

Besonderheiten elektronischer Zustände von niederdimensionalen Strukturen in Vieltal-Halbleitern mit asymmetrischem Confinement — •M. MOCKER — Institut für Physik, Humboldt-Universität, Invalidenstr.110, D-10115 Berlin.

In diesem Beitrag soll eine erstaunliche allgemeine Eigenschaft der Subbandstruktur niederdimensionaler Strukturen auf der Basis der EFA (envelope function approximation) besprochen werden, die in Vieltal-Halbleitern (z.B.Ge,Si,PbTe) vorliegt und mit der dort häufig auftretenden starken Anisotropie der Bandstruktur zusammenhängt. Wir sprechen von asymmetrischem Confinement, wenn die Hauptachsen der Energieellipsoide im k^→-Raum nicht mehr in allen Tälern mit den Richtungen des elektronischen Confinement zusammenfallen können. Eine sorgfältige EFA-Theorie verlangt dann insbesondere die separate Behandlung aller Täler [1,2]. Es zeigt sich, daß selbst das Modell des zweidimensonalen unendlichen Potentialtopfes nun numerisch behandelt werden muß und die Subband-Energieniveaus von einer Form E_n,m=(a n² + b m²) stark abweichen können. Gleichzeitig kommt es zu einer Vergrößerung der effektiven Masse in Richtungen der freien Teilchenbewegung.

[1] M. Mocker and F. Lemke: in ”Monitoring of gaseous pollutants by tunable diode lasers” , Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, pp.111-114 (1992).

[2] z.B. in:G. Bauer, M. Kriechbaum, Z. Shi and M. Tacke, Journal of Nonlinear Optical Physics and Materials4, 283 (1995).