Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: GaN II

HL 30.14: Talk

Thursday, March 20, 1997, 18:45–19:00, H1

Polaritoneneigenschaften von GaN-Epischichten — •A. Göldner¹, L. Eckey¹, A. Hoffmann¹, I. Broser¹ und K. Hiramatsu² — ¹Inst. f. Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, 10623 Berlin — ²Nagoya University, Nagoya, Japan

Mit Hilfe der polaritonischen Eigenschaften des GaN lassen sich Materialparameter bestimmen, die zum Verständnis der Laserprozesse wichtig sind. Deshalb werden bandkantennahe Zustände bzgl. ihrer Lumineszenzeigenschaften mit PL, Reflexionsmessungen und der Calorimetrischen Absorptionsspektroskopie (CAS) untersucht. Mit Hilfe der PL konnten bereits angeregte Zustände der Exzitonen zugeordnet werden. Die Anpassung von Reflexionsmessungen durch ein polaritonisches Modell im Bereich des freien A-Exzitons, welches beispielsweise die Kristallstruktur des GaN berücksichtigt, lieferte erstmals Materialparameter des GaN, wie die longitudinal-transversal Aufspaltung ω_LT. Solche Anpassungen für das B- und das C-Exziton werden diskutiert. Schließlich werden CAS-Messungen vorgestellt, die Rückschlüsse auf die nichtstrahlenden Relaxationsprozesse im Bandkantenbereich zulassen.