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HL: Halbleiterphysik
HL 30: GaN II
HL 30.16: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 19:15–19:30, H1
Herstellung und Untersuchung von optisch gepumpten GaInN-DFB-Lasern — •V. Wagner, R. Hofmann, H.–P. Gauggel, H. Bolay, F. Scholz und H. Schweizer — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart
Eine der Schwierigkeiten bei der Realisierung von GaN/GaInN-Laserdioden ist die Herstellung von geeigneten Laserspiegeln, da Spaltkanten von GaN/GaInN auf Saphirsubstrat wegen der Wurtzitstruktur des Materials meist sehr uneben sind. Eine Möglichkeit, dieses Problem zu umgehen, besteht darin, die Rückkopplung durch eine periodische Variation des effektiven Brechungsindex neff über den Resonator zu verteilen (distributed-feedback, DFB). Dazu wurde ein durch Elektronenstrahllithographie definiertes DFB-Gitter 2. Ordnung mittels reaktivem Ionenätzen in die Deckschicht einer in MOVPE gewachsenen GaN/GaInN-Doppelheterostruktur übertragen.
Durch optisches Pumpen wurde DFB-Lasertätigkeit bei Raumtemperatur mit Schwellen Pth bis herunter zu 2 MW/cm2 erreicht. Dabei hängt die Emissionswellenlänge λ direkt von der DFB-Gitterperiode ab und liegt im Bereich von 390 … 415 nm. Aus den Messungen konnten sowohl neff(λ) als auch Pth(λ) bestimmt werden.
Temperaturabhängige Untersuchungen im Bereich um 300 K ergaben eine für DFB-Laser typische, kleine Verschiebung der Emissionswellenlänge, die sich im Wert dneff/dT=1.0 · 10−4/K manifestiert.