Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 30: GaN II

HL 30.2: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 15:45–16:00, H1

RTM-angeregte und spektral aufgelöste Lumineszenz von epitaktischen GaN-Schichten — •M. Ortsiefer, P. Radojkovic, M. Topf, M. Schwartzkopff und E. Hartmann — Physik-Department E16, Techn. Univ. München, James-Franck-Str., D-85747 Garching

Mit Hilfe der MOCVD-, MBE- und LPCVD-Technik wurden n- und p-leitende GaN-Schichten auf Fremdsubstrate (SiC, Al₂O₃) gewachsen und mit einem UHV-Rastertunnelmikroskop bei Raumtemperatur auf ihre strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften hin untersucht. Für die optische Charakterisierung wird die Mikroskopspitze als lokaler Elektronenemitter eingesetzt. Die spektrale Detektion der RTM-angeregten Lumineszenz erfolgt mit einem Spektrographen und einer N₂-gekühlten CCD-Kamera. Wir konzentrieren uns bei den Experimenten auf die vergleichende Analyse der detektierten spektralen Intensität in Abhängigkeit vom Abscheideverfahren und vom Leitungstyp der GaN-Schichten. Aus den Lumineszenzspektren, die mit unterschiedlicher (Tunnel-) Spannungspolarität und mit unterschiedlichen Spannungswerten aufgezeichnet wurden, konnten wir ein einfaches Modell für den Anregungsmechanismus entwickeln. Aufgrund des stark lokalisierten Elektronenstrahls und des geringen Anregungsvolumens in GaN läßt sich eine Korrelation zwischen strukturellen und optischen Eigenschaften im 10-nm-Bereich herstellen.