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HL: Halbleiterphysik
HL 30: GaN II
HL 30.3: Talk
Thursday, March 20, 1997, 16:00–16:15, H1
Elektrische Eigenschaften von dotierten und undotierten GaN und AlxGa1−xN — •Roman Dimitrov, Helmut Angerer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann — Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, D-85748 Garching
Epitaktische GaN, AlxGa1−xN Schichten sowie Heterostrukturen wurden mittels PIMBE hergestellt. Mit den Dotierstoffen Mg und Si wurden GaN Filme mit bis zu 2×1018 cm−3 Löcherkonzentration bzw. 5×1019 cm− 3 Elektronenkonzentration bei Raumtemperatur realisiert. Die elektrischen Eigenschaften von undotiertem AlxGa1−xN, sowie die Möglichkeiten zu seiner Dotierung mit Si und Mg wurden mit temperaturabhängigen Hall- und Leitfähigkeitsmessungen untersucht. Einfache GaN/AlGaN sowie GaN/AlGaN/GaN/AlGaN Heterostrukturen wurden für die Herstellung von HEMT’s mit optischer Lithographie und RIE strukturiert. Vorgestellt werden die Transistorkennlinien sowie ihr Temperaturverhalten.