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HL: Halbleiterphysik

HL 30: GaN II

HL 30.6: Talk

Thursday, March 20, 1997, 16:45–17:00, H1

Druckuntersuchungen lokalisierter Defekte in GaN — •C. Wetzel¹, J.W. Ager III¹, E.E. Haller¹, W.G. Perry² und R.F. Davis² — ¹Lawrence Berkeley National Laboratory, Mailstop 2-200, University of California at Berkeley, Berkeley, CA 94720, USA — ²North Carolina State University, Raleigh, NC 27695, USA

Galliumnitrid ist die Schlüsselkomponente des Gruppe-III Nitrid Halbleitersystems. Eine Aufklärung der Physik der Defekte in GaN ist daher von besonderer Bedeutung. In Photolumineszenz untersuchen wir charakteristische Übergänge bei 3.40, 3.33 und 3.21 eV. Durch eine externe Störung unter hohem hydrostatischem Druck erzielen wir zum einen eine Klassifizierung der Defekte anhand ihrer Lokalisierung und zum zweiten ein Anregungsspektrum der Lumineszenz.

Wir finden daß die 3.40 eV Emission in direktem Zusammenhang mit der fundamentalen Bandlücke im GaN steht aus der sie gespeist wird. Außerdem tritt unter einer resonanzartigen Anregungsbedingung eine selektive Reduktion der beiden anderen Übergänge ein. Dies deutet direkt auf angeregte Resonanzzüstände innerhalb des Leitungsbandes hin. Wir untersuchen den Zusammenhang dieser Resonanz mit Modellen verschiedener möglicher Defekte.