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HL: Halbleiterphysik

HL 30: GaN II

HL 30.8: Talk

Thursday, March 20, 1997, 17:15–17:30, H1

Effektive Massen und Valenzband-Aufspaltungen in GaN und AlN — •J.A. Majewski, M. Städele und P. Vogl — Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, 85748 Garching

Wir präsentieren theoretische Vorhersagen von effektiven Massen in den Wurtzitkristallen GaN und AlN. Experimentell sind erst wenige Massen in diesen Materialien bekannt, insbesondere sind Valenzbandmassen weitgehend unbekannt. Unsere Berechnungen wurden in Rahmen der lokalen Dichtefunktionaltheorie mit relativistischen Pseudopotentialen durchgeführt. Im Fall von GaN stimmt die berechnete sphärisch gemittelte Leitungsbandmasse am Γ-Punkt m_e = 0.18m₀ sehr gut mit experimentellen Werten überein. Für GaN ergibt unsere Theorie effektive Valenzbandmassen (in m₀) von m_hh^|| = 2.09, m_hh^⊥ = 0.37, m_lh^|| = 0.74, m_lh^⊥ = 0.39, m_split^|| = 0.18, sowie m_split^⊥ = 0.94. Weiter haben wir im Rahmen der ab-initio Berechnungen alle Parameter eines 6-Band k · p Modells für die Valenzbänder und alle zugehörigen Deformationspotentiale bestimmt, um den Einflußs der Verspannung auf die Bandkantenzustände zu beschreiben.