Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 31: Transport in Halbleitern

HL 31.15: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 19:00–19:15, H4

Heiße-Elektronen-Effekte in GaAs — •G. Steude¹, D.M. Hofmann¹, B.K. Meyer¹, H. Hartdegen² und M. Hollfelder² — ¹I. Physikalisches Institut, Justus Liebig Universität Giessen, 35392 Gießen — ²Institut für Schicht- und Ionentechnik des Forschungszentrums Jülich, 52425 Jülich

Für optisch detektierte Zyklotronresonanz(ZR) Untersuchungen erlaubt die große Bandbreite der zur Verfügung stehenden Mikrowellenleistungen das Studium heißer Ladungsträgereigenschaften bei tiefen Probentemperaturen. Ausgehend von niedrigen Leistungen beobachtet man eine drastische Zunahme der Elektronen-ZR-Halbwertsbreite und das Auftreten einer zusätzlichen Resonanz mit entgegengesetztem Vorzeichen. Damit einhergehend ist eine kontinuierliche Massenzunahme zu verzeichnen. Diese Effekte werden durch das Modell der strömenden ZR-Bewegung heißer Ladungsträger beschrieben [1]. Das negative ZR-Signal markiert den Einsatz von zusätzlicher LO-Phononenstreuung und legt die Energie der Ladungsträger zu 36 meV über der Leitungsbandkante fest. Der hier beobachtete Wert der Massenzunahme wird von Fern-Infrarot-ZR Untersuchungen bestätigt und ergibt sich aus der Energieabhängigkeit der Phononkopplung. Der Einfluß der heißen Ladungsträger auf die strahlende Rekombination des Materials wird untersucht.

[1] S. Komiyama, T. Kurosawa, T. Masumi, Hot-Electron Transport in Semiconductors, Ed. L. Reggiani, Topics in Applied Physics, Vol 58 (Springer, Berlin, 1985).