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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Transport in Halbleitern

HL 31.3: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 16:00–16:15, H4

Herstellung und Charakterisierung von lateralen Isolationsbarrieren und steuerbaren elektronischen Kanälen durch mechanisches Mikroritzen — •S. Kamps¹, U. Kunze² und A.D. Wieck¹ — ¹Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum — ²Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstraße 150, 44780 Bochum

In n-dotierten Al_xGa_1−xAs-Heterostrukturen wird die Leitfähigkeit durch direktes Ritzen der Oberfläche lateral unterbrochen. Dazu wird eine angeschliffe Stahlnadel mit einer Kraft von einigen mN nach langsamem Absenken auf die Oberfläche über die Probe gezogen. Die so entstehenden Mikroritze sind optisch und elektronenoptisch nicht zu visualisieren, können aber im Rasterkraftmikroskop sichtbar gemacht werden. Dabei ergibt sich eine Ritztiefe von wenigen nm. Typische Widerstände zwischen zwei Punkten der Probe werden durch einen dazwischenliegenden Mikroritz von einigen kΩ auf einige GΩ vergrößert, so daß bis zu angelegten Spannungen von einigen V nur wenige nA fließen. Kanäle, die in dieser In-Plane-Gate-Anordnung erzeugt wurden, liefern Steilheiten von bis zu 200µS und sind über 5V hinaus spannungsfest. Wenngleich diese Methode für die Fabrikation von Mikroschaltungen sehr langsam und damit weniger anwendungsspezifisch ist, gibt sie wertvolle Hinweise auf die Natur der Isolation durch mechanische Oberflächenbehandlung und kann für diese Studien vorteilhaft eingesetzt werden.