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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Transport in Halbleitern

HL 31.8: Talk

Thursday, March 20, 1997, 17:15–17:30, H4

Diffusion von Gold in bordotiertem Silicium — •A. Rodriguez Schachtrup, H. Bracht und H. Mehrer — Institut für Metallforschung, Universität Münster, Wilhelm–Klemm–Straße 10, D-48149 Münster

Diffusionsexperimente mit Au in unterschiedlich stark B-dotierten, versetzungsfreien und -reichen Si-Einkristallen wurden im Temperaturbereich von 900 ^∘C bis 1100 ^∘C durchgeführt. Versetzungsreiches Si wurde zuvor durch plastische Verformung erhalten. Durch die hohe B-Grunddotierung liegen extrinsische Diffusionsbedingungen vor, d.h. die durch Dotierung erzeugte Löcherkonzentration übertrifft die Konzentration der intrinsischen Ladungsträger bei der Diffusionstemperatur. Diffusionsprofile wurden nach Neutronenaktivierung der golddiffundierten Proben mittels mechanischer Schichtenteilung und anschließender Aktivitätsbestimmung ermittelt. Das Diffusionsverhalten von Au, das durch die B-Dotierung beeinflußt wird, läßt sich im wesentlichen auf der Grundlage des Kick-out Diffusionsmodelles beschreiben. Die Beschreibung der Diffusionsprofile liefert effektive Diffusionskoeffizienten zu interstitiell gebundenem Au und dem Si-Eigenzwischengitteratom. Die beobachtete Dotierungsabhängigkeit dieser Größen wird mit dem Fermi-Level Effekt erklärt und liefert Informationen über die in p-leitendem Si bevorzugten Ladungszustände der Punktdefekte sowie über deren Störstellenniveaus im verbotenen Band von Si.