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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Quantendots II

HL 32.11: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 18:00–18:15, H2

— •J. Sandmann¹, S. Grosse¹, G. von Plessen¹, J. Feldmann¹, H. Lipsanen², M. Sopanen², J. Tulkki², J. Ahopelto³, G. Hayes⁴ und R. Phillips⁴ — ¹Sektion Physik, LMU München, Amalienstr. 54, 80799 München — ²Optoelectr. Laboratory, Helsinki Univ. of Technology, Finnland — ³VTT Electronics, 02150 Espoo, Finnland — ⁴Cavendish Laboratory, Cambridge, U.K.

Mittels selbstorganisierendem Wachstum von InP-Inseln auf einer InGaAs / GaAs-Quantenfilmstruktur (QF) können Quantenpunkte (QP) hoher Qualität epitaktisch hergestellt werden [1]. Die geringe inhomogene Verbreiterung ermöglicht die Auflösung von bis zu fünf optischen Übergängen im Lumineszenzspektrum. Untersucht wurde die Einfangdynamik optisch erzeugter Ladungsträger aus 3D-GaAs Zuständen in die 2D-(QF) und 0D-(QP) Zustände. Es wurden zeitaufgelöste Photolumineszenzexperimente mit einer Zeitauflösung von 260fs bei tiefen Temperaturen durchgeführt. Die gemessenen Einfangzeiten in den QP-Grundzustand liegen bei <4ps. Als Ursache für diese schnelle Thermalisierung wird Coulomb-Streuung zwischen 0- und höherdimensionalen Zuständen diskutiert.

[1] H. Lipsanen, M. Sopanen und J. Ahopelto, Phys. Rev. B51, 13868 (1995)