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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Quantendots II

HL 32.12: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 18:15–18:30, H2

Transport und Einfang von Ladungsträgern in InGaAs(P)-InP Draht- und Punkt-Qantenstrukturen — •A. Wütherich, U.A. Griesinger, F. Adler, M. Geiger, F. Scholz und H. Schweizer — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart

Von ein- und nulldimensionalen Nanostrukturen erwartet man verbesserte optische Eigenschaften, die in optoelektronischen Bauelementen Anwendung finden können. Für Halbleiterlaser soll eine niedere Schwelle und eine höhere Modulationsbandbreite erreicht werden. Der gute Ladungsträgereinfang in die aktive Quantenstruktur ist dazu jedoch Voraussetzung. Um den Transport und Einfang von Ladungsträgern zu untersuchen, wurden InGaAs(P) Draht- und Punktstrukturen durch Elektronenstrahllithographie und naßchemisches Ätzen hergestellt. Die Parameter des darauffolgenden Überwachsvorganges wurden optimiert, um Materialumlagerungen zu minimieren. Die Strukturgrößen variieren von 30 nm bis 800 nm. Die Quantenausbeute steigt für Quantenpunkte kleiner Abmessungen an, für Quantendrähte dagegen ist eine Abnahme zu beobachten. Überwachsene Strukturen zeigen eine generell erhöhte Quantenausbeute. Lebensdauermessungen ergaben Lebensdauern von 1000 ps bis 2000 ps für Quantendrähte und von 500 ps bis 1500 ps für Quantenpunkte. Die Analyse der Meßdaten erlaubt Rückschlüsse auf den Ladungsträgereinfang.