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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Quantendots II

HL 32.15: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 19:00–19:15, H2

Elektronische und optische Eigenschaften von selbstorganisierten InGaAs / InP Quantenfäden — •V. Türck, M. Kappelt und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin

Die Methode zu Herstellung selbstorganisierter Quantenfäden durch MOCVD-Wachstum in V-förmigen Gräben wurde erfolgreich vom bekannten Materialsystem GaAs / AlGaAs auf InGaAs / InP und InGaAs / InAlAs übertragen. Es ist uns gelungen, basierend auf diesen Materialsystemen Quantenfäden mit einer sehr guten optischen Qualität herzustellen. Ihre elektronischen und optischen Eigenschaften wurden mittels Photolumineszenz (PL), Anregungsspektroskopie (PLE) und ortsaufgelöster Kathodolumineszenz (KL) studiert. Dabei wurde festgestellt, daß die Fäden eine große Quantisierungsenergie (>80 meV) und einen großen Subbandabstand (>20 meV) besitzen. Durch polarisationsabhängige PL- und PLE-Messungen konnten die Subbänder einzelnen Übergängen im Quantenfaden zugeordnet werden. Die Ergebnisse stimmen gut mit ebenfalls präsentierten Modellrechnungen überein, die auf der Basis von Ergebnissen struktureller Untersuchungen durchgeführt wurden. An einzelnen Quantenfäden wurden mit anregungsdichteabhängigen KL-Messungen Effekte der Bandauffüllung und der Hochanregung studiert.