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HL: Halbleiterphysik
HL 32: Quantendots II
HL 32.16: Talk
Thursday, March 20, 1997, 19:15–19:30, H2
Vierwellenmischen an tiefgeätzten InGaAs/GaAs Quantendrähten — •W. Braun, A.I. Filin, M. Bayer und A. Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg
Freistehende InGaAs/GaAs Quantendrähte mit Breiten zwischen 29 und 84 nm wurden mithilfe von zeit- und spektralintegriertem Vierwellenmischen in der Zwei-Puls-Selbstbeugungs-Konfiguration untersucht. Bei Anregung mit einem spektral breiten Laserpuls werden Quantenschwebungen zwischen dem exzitonischen Grundzustand und dem ersten angeregten Zustand beobachtet, aus denen die Exzitonenbindungsenergie bestimmt werden kann. Mit einem spektral komprimiertem Puls wurde die Temperaturabhängigkeit der homogenen Linienbreite der exzitonischen Resonanz bestimmt. Aufgrund der lateralen Einschränkung der Exzitonenwellenfunktion wird hierbei in den schmalen Quantendrähten eine Erhöhung der Streurate der Exzitonen an akustischen Phononen beobachtet. Zur Untersuchung der Exziton-Exziton-Streuung wurde mit einem dritten Puls eine inkohärente Exzitonenpopulation mit variabler Dichte erzeugt. Aus der Dichteabhängigkeit der homogenen Linienbreite wurde der Kopplungsparameter γXX bestimmt, der mit abnehmender Drahtbreite stark ansteigt.