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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Quantendots II

HL 32.3: Talk

Thursday, March 20, 1997, 16:00–16:15, H2

Hochauflösende Untersuchungen an vertikal strukturierten Oberflächengittern mittels Röntgenbeugung unter streifendem Einfall (GID) — •N. Darowski¹, K. Paschke¹, U. Pietsch¹, T. Baumbach², K.H. Wang³ und A. F³ — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Potsdam — ²ESRF — ³Technische Physik, Universität Würzburg

Niedrigdimensionale Halbleiterstrukturen, welche den quantum confinement–Effekt zur Generierung neuer optischer und elektronischer Eigenschaften nutzen, sind häufig zusätzlich vertikal strukturiert. Aus diesem Grund untersuchten wir Oberflächendrahtstrukturen, bei denen auf einem GaAs [001]–Substrat ein, mit einer GaAs–Deckschicht versehener, GaInAs–Quantengraben abgeschieden wurde. Der Vorteil der von uns verwendeten GID liegt in der Möglichkeit die Eindringtiefe der Strahlung in die Probe über die Wahl des Einfallswinkels α_i zu variieren. So konnte am (200)–Reflex tatsächlich der nur 5 nm dicke Quantengraben als Intensitätsoszillation entlang des crystal truncation rods nachgewiesen werden. Des weiteren war es möglich, die Drahtform aus der Variation des in unterschiedlichen Probentiefen aufgenommenen Streufaktors zu verifizieren. Für Einfallswinkel α_i größer dem kritischen Winkel der äußeren Totalreflexion α_c sind zusätzlich Aussagen zur Tiefenverteilung des Verzerrungsfeldes, sowohl in der Oberflächenstruktur als auch dem angrenzenden Volumenmaterial, ableitbar.