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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Photovoltaik

HL 33.13: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 18:30–18:45, H3

Gleich- und Wechselstromleitfähigkeit von Cu(In/Ga)Se₂-Filmen und -Solarzellen — •M. Schmitt¹, U. Rau¹, J. Parisi², W. Riedl³, J. Rimmasch³ und F. Karg⁴ — ¹Universität Bayreuth, Physikalisches Institut, D-95440 Bayreuth — ²Carl v. Ossietzky Universität Oldenburg, Fachbereich Physik, Abteilung Energie- und Halbleiterforschung, D-26111 Oldenburg — ³Siemens AG, ZT EN 2, D-80807 München — ⁴Siemens Solar GmbH, D-80807 München

Dünnfilm-Solarzellen auf der Basis von polykristallinen Kupfer-(Indium, Gallium)-(Diselenid, Disulfid)-Absorbern stellen eine vielversprechende Materialklasse für photovoltaische Anwendungen dar. Trotz der hoffnungsvollen Perspektive ist unser gegenwärtiges Wissen über die elektrischen Transporteigenschaften, speziell über die Rekombinationsprozesse der Ladungsträger, die die Leerlaufspannung und somit den Wirkungsgrad begrenzen, noch sehr gering. Messungen der Gleich- und Wechselstromleitfähigkeit (Admittanz), unter Va- riation der Frequenz, der Spannung und der Temperatur geben Aufschluß über elektrische Kenngrößen und Transportmechanismen der Solarzellen. Auffallend ist das Auftreten von elektrischen Verlustpeaks, die ebenso wie die Filmleitfähigkeit von der Vorbehandlung abhängen und metastabiles Verhalten zeigen. Das Verständnis des letzteren Phänomens kann entscheidend für Fortschritt und Perspektive in der Dünnschicht-Solarzellentechnologie sein, insbesondere bezüglich Aspekten wie Reproduzierbarkeit und Langlebigkeit.