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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Photovoltaik

HL 33.17: Talk

Thursday, March 20, 1997, 19:30–19:45, H3

Herstellung und Charakterisierung von CuGaSe2-Preßlingen für ein neues Dünnfilm-Abscheideverfahren — •T. Weiss, M. Birkholz, A. Jäger-Waldau, Y. Tomm, K. Töpper, S. Fiechter und M. Ch. Lux-Steiner — Hahn-Meitner-Institut Glienicker Str. 100 14109 Berlin

Bei der Dünnfilmabscheidung von CuGaSe2 nach dem close-spaced vapour transport (CSVT-) Verfahren sollen Preßlinge aus polykristallinem CuGaSe2 als Quellenmaterial zum Einsatz kommen. Das Ausgangsmaterial wird zuvor unter Hochvakuumbedingungen aus den Elementen mit Reinheiten besser als 99,999% synthetisiert. In Anlehnung an das Phasendiagramm werden verschiedene untersuchte Synthesemethoden vorgestellt und diskutiert. Außerdem wird über die Herstellung von Preßlingen mit verschiedenen Preßtechniken berichtet. Das für den CSVT-Prozeß hergestellte Quellenmaterial soll die Eigenschaften der Schicht bereits aufweisen. Zur Ermittlung der Struktur, der Zusammensetzung, der Dotierung und der elektrischen Eigenschaften des Materials werden die Ergebnisse der diagnostischen Methoden XRD, EDX, Photolumineszenz, sowie Leitfähigkeits- und Hallmessungen diskutiert.