Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 33: Photovoltaik
HL 33.3: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 16:00–16:15, H3
Genaue Bestimmung der Volumen–Minorit"atstr"agerlebensdauer von kristallinen Silicium–Wafern f"ur Solarzellen — •Jan Schmidt and Armin G. Aberle — Institut f"ur Solarenergieforschung Hameln/Emmerthal (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal
Eine entscheidende Voraussetzung f"ur das Erreichen hoher Wirkungsgrade bei kristallinen Silicium–Solarzellen ist eine hinreichend gro"se Minorit"atstr"agerlebensdauer τb im Volumen des Si–Ausgangsmaterials. In diesem Beitrag stellen wir eine neue, sehr genaue Methode zur τb–Bestimmung von kommerziell erh"altlichen Si–Wafern typischer Dicke (<0.5 mm) vor. Die Methode besteht aus zwei Hauptschritten: (i) beide Oberfl"achen des Si–Wafers werden mit Remote–PECVD–Siliciumnitrid beschichtet, (ii) die effektive Tr"agerlebensdauer τeff wird mittels kontaktloser Messung von Photoleitf"ahigkeitstransienten nach Lichtpulsanregung ermittelt. Die hervorragend passivierende Wirkung des Remote–PECVD–Siliciumnitrids erm"oglicht eine sehr genaue Bestimmung der Volumenlebensdauer τb aus der gemessenen Lebensdauer τeff. Anhand von kommerziell erh"altlichen Si–Wafern, wie sie zur Herstellung heutiger Solarzellen verwendet werden, wird das Leistungsverm"ogen der Methode demonstriert.