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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Photovoltaik

HL 33.8: Talk

Thursday, March 20, 1997, 17:15–17:30, H3

Elektronische Eigenschaften von epitaktischen CuInS₂-Filmen — •C. Schmiga¹, J.-H. Bremer¹, Th. Hahn¹, H. Metzner¹, D. Borchert² und W. R. Fahrner² — ¹II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Bunsenstraße 7-9, D-37073 Göttingen — ²Fachbereich Elektrotechnik, FernUniversität Hagen, Haldener Straße 182, D-58084 Hagen

CuInS₂ (CIS) ist ein aussichtsreiches Material für den Einsatz als Absorber in der Photovoltaik. Zur heteroepitaktischen Abscheidung dieses ternären Halbleiters wurde ein MBE-Prozeß entwickelt [1]. Dieser ermöglicht die Herstellung einkristalliner dünner Filme auf Si- und CaF₂-Substraten. Wir präsentieren erste elektrische Transportmessungen an diesen Filmen im Temperaturbereich zwischen 77 und 300 K. Es gelang, aus ausgesuchten Proben komplette Bauelemente auf einem p/n-Heteroübergang und einer ITO-Antireflexschicht aufzubauen, die Diodenkennlinien zeigen. Die Photoaktivität dieser Proben wurde u. a. mit einem Solarsimulator (AM 1.5) vermessen. Der Einfluß der Stöchiometrie und von strukturellen Defekten der epitaktischen Filme auf ihre elektrischen Eigenschaften wird diskutiert.

[1] H. Metzner, Th. Hahn, J.-H. Bremer und J. Conrad, Appl. Phys. Lett. 69, 1900 (1996)