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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Poröses Si

HL 36.2: Talk

Friday, March 21, 1997, 11:15–11:30, H4

Lokale Herstellung von porösem Silizium — •J. Schulze, H. Geiger, H. Baumgärtner und I. Eisele — Institut für Physik, Universität der Bundeswehr München, Werner-Heisenberg-Weg 39, 85577 Neubiberg

Es ist bekannt, daß poröses Silizium durch elektrochemisches Ätzen hergestellt und zu Photo- und Elektrolumineszenz angeregt werden kann. Für den Ablauf des elektrochemischen Prozesses werden Löcher benötigt, so daß poröses Silizium großflächig auf hoch p-dotierten Silizium Scheiben erzeugt werden kann. An unserem Institut versuchen wir nun lokal Löcher in n-dotiertem Silizium durch Einstrahlen von Licht und Ausnutzung lokaler elektrischer Felder zu generieren, und damit lokale Gebiete porös zu ätzen. Die verwendeten Verfahren werden vorgestellt und über erste Ergebnisse wird berichtet. Eine interessante Anwendung von lokalem porösen Silizium ist die Verwendung als Punktlichtquelle für optische Nahfeldmikroskopie (SNOM). Dazu sollen die Spitzen von epitaktisch gewachsenen Siliziumpyramiden porös geätzt werden.