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HL: Halbleiterphysik
HL 36: Poröses Si
HL 36.4: Talk
Friday, March 21, 1997, 11:45–12:00, H4
Morphologie von leuchtendem Silizium — •Andreas Misera1, Hermann Franz1, Lucien Saviot2, Winfried Petry1, Imke Libon3 und Carsten Voelkmann3 — 1TU Muenchen, Physik-Department E13, Garching — 2Laboratoire de Physico-Chimie des Materiaux Luminescents, UMR 5620 C.N.R.S Universite Lyon I, France — 3TU Muenchen, Physik-Department E16, Garching
Trotz intensiver Forschung seit der Entdeckung der Leuchteigenschaften von porösem Silizium ist der Mechanismus, der zur intensiven Lumineszenz führt, noch nicht völlig verstanden. Ein wichtiges Element aller Modelle ist die mesoskopische Struktur des verwendeten Materials; alle basieren auf einer nanokristallinen Struktur. Wir stellen kombinierte Ergebnisse von Messungen der Kleinwinkelstreuung und der Ramanspektroskopie vor. Untersucht wurden hauptsächlich freistehende poröse Schichten aus p-dotiertem Silizium; des weiteren Si-Cluster, implantiert in SiO2 und danach wärmebehandelt. Die geätzten Proben zeigen ausgeprägte Anisotropie, die sich durch zylinderförmige Poren von ca. 7-11 nm Durchmesser erklären läßt. Durch systematisches Verkippen der Proben konnte die Orientierung der Poren relativ zur Oberfläche bestimmt werden.